Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Nom de produit: | Ce : GAGG | Formule chimique: | Ce : Gd3Al2Ga3O12 |
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méthode de croissance: | Czochralski | Nombre atomique: | 54,4 |
Densité: | 6.63g/cm3 | Point de fusion: | 1850℃ |
Hygroscopique: | Non | Décolleté: | Non |
Mettre en évidence: | Cristaux de scintillation de la CE GAGG,Cristal simple de la scintillation GAGG,Cristal de la résolution GAGG de haute énergie |
GAGG (ce) a enduit du ce est un scintillator developpé récemment. Il est l'un des scintillators disponibles les plus lumineux avec une crête d'émission à 520nm. GAGG (ce) a la bonne puissance d'arrêt, est physiquement rocailleux, et bien adapté à une large gamme d'applications.
Indépendamment du rendement léger élevé, la bonne résolution d'énergie, le nombre atomique efficace élevé, la réponse rapide de scintillation, la rugosité chimique de stabilité aussi, et la capacité de la grande cristallogénèse sont les propriétés très importantes pour le ce : Cristaux de GAGG aussi bien.
Principaux avantages :
Application principale :
Propriété | Valeur |
---|---|
Formule chimique | Ce : Al2 GA3 O12 de Gd3 |
Nombre atomique (efficace) | 54,4 |
Méthode de croissance | Czochralski |
Densité | 6.63g/cm3 |
Dureté de Mohs | 8 |
Point de fusion | 1850℃ |
Coefficients de dilatation thermique. | Tba X ⁶ de 10 ‾ |
Personne à contacter: Chen Dongdong
Téléphone: +86 18326013523
Télécopieur: 86-551-63840588
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