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NOM: | Silicate (LGS) de gallium de lanthane | Formule chimique: | La3Ga5SiO14 |
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méthode de croissance: | Czochralski | Hardness: | 6,6 Moh |
Densité: | 5,754 g/cm3 | Point de fonte: | 1470℃ |
coefficient de Thermique-expansion: | α 33=3.61 du α 11=5.10 | Vitesse sonique, SCIE: | 2400 (m/sec) |
Constante de fréquence, BAW: | 1380 (kHz/mm) | Coefficient de fréquence de la température: | 1.6х10-5 |
Surligner: | Cristal des dispositifs LGS de BAW,cristal de silicate de gallium du lanthane 5,754 g/cm3 |
Langasite - la La3GA5SiO14, estuncristalpiézoélectriquedefamilledegallogermanate que.itestnouveauetexcellentcristalpiézoélectriquepourBAWetA VU quedesdispositifsdusàsonexcellentcharacteristics.LGSspectroscopiqueetacoustiquepeuventégalementêtre utiliséscommecristalélectrooptique. Le Q-commutateurélectrooptiquefaitparLGSestréellementunnouveaugenrede Q-commutateurrotation-électro-optique. En raisonde l'effetde larotationoptique, ilpeutêtre employécommecommutateurpratiqueetunbonrésultatde Q-modulationpeutêtre obtenu.
Crystal Structure | système de rigonal, a= 8,1783 du groupe 33 C = 5,1014 |
Méthode de croissance | Czochralski |
Dureté | 6,6 Moh |
Densité | 5,754 g/cm3 |
Point de fonte | o 1470 C (point de transition de phase : NON-DÉTERMINÉ) |
Dilatation thermique (x10-6/OC) | α 11 : 5,10 α 33 : 3,61 |
Vitesse sonique, SCIE | 2400 (m/sec) |
Constante de fréquence, BAW | 1380 (kHz/mm) |
Accouplement piézoélectrique | K2 (%) BAW : 2,21 SCIE : 0,3 |
Constante diélectrique | ε11/ε0=18.27 ε33/ε0=56.26 |
Constante de tension piézoélectrique | d11=6.3 d14=5.4 |
Inclusions | N0 |
Personne à contacter: Zheng
Téléphone: +86 18255496761
Télécopieur: 86-551-63840588
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