Envoyer le message
Aperçu ProduitsCristal de LGS

BAW A VU le cristal du silicate LGS de gallium de lanthane de dispositifs

Certificat
La Chine ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certifications
La Chine ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certifications
Je suis en ligne une discussion en ligne

BAW A VU le cristal du silicate LGS de gallium de lanthane de dispositifs

BAW A VU le cristal du silicate LGS de gallium de lanthane de dispositifs
BAW A VU le cristal du silicate LGS de gallium de lanthane de dispositifs BAW A VU le cristal du silicate LGS de gallium de lanthane de dispositifs BAW A VU le cristal du silicate LGS de gallium de lanthane de dispositifs

Image Grand :  BAW A VU le cristal du silicate LGS de gallium de lanthane de dispositifs

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: Crystro
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: CRLGS-3
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Boîte propre transparente
Délai de livraison: 3-4 semaines
Conditions de paiement: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 100 PCs par semaine
Description de produit détaillée
NOM: Silicate (LGS) de gallium de lanthane Formule chimique: La3Ga5SiO14
méthode de croissance: Czochralski Hardness: 6,6 Moh
Densité: 5,754 g/cm3 Point de fonte: 1470℃
coefficient de Thermique-expansion: α 33=3.61 du α 11=5.10 Vitesse sonique, SCIE: 2400 (m/sec)
Constante de fréquence, BAW: 1380 (kHz/mm) Coefficient de fréquence de la température: 1.6х10-5
Surligner:

Cristal des dispositifs LGS de BAW

,

cristal de silicate de gallium du lanthane 5

,

754 g/cm3

Silicate de gallium de lanthane de matériaux de Pezoelectric (LGS) Crystal For BAW et dispositifs de SCIE

Introduction :

Langasite - la La3GA5SiO14, estuncristalpiézoélectriquedefamilledegallogermanate que.itestnouveauetexcellentcristalpiézoélectriquepourBAWetA VU quedesdispositifsdusàsonexcellentcharacteristics.LGSspectroscopiqueetacoustiquepeuventégalementêtre utiliséscommecristalélectrooptique. Le Q-commutateurélectrooptiquefaitparLGSestréellementunnouveaugenrede Q-commutateurrotation-électro-optique. En raisonde l'effetde larotationoptique, ilpeutêtre employécommecommutateurpratiqueetunbonrésultatde Q-modulationpeutêtre obtenu.

 

Appliaction principal :

  • Q-commutateur électrooptique
  • Dispositif de /BAW de dispositif de SCIE
  • Capteur
  • Taux élevé de répétition de puissance élevée tout le laser à état solide
  • Laser de changement de température de ciel et terre

 

 

Propriétés matérielles :

 

Crystal Structure système de rigonal, a= 8,1783 du groupe 33 C = 5,1014
Méthode de croissance Czochralski
Dureté 6,6 Moh
Densité 5,754 g/cm3
Point de fonte o 1470 C (point de transition de phase : NON-DÉTERMINÉ)
Dilatation thermique (x10-6/OC) α 11 : 5,10 α 33 : 3,61
Vitesse sonique, SCIE 2400 (m/sec)
Constante de fréquence, BAW 1380 (kHz/mm)
Accouplement piézoélectrique K2 (%) BAW : 2,21 SCIE : 0,3
Constante diélectrique ε11/ε0=18.27   ε33/ε0=56.26
Constante de tension piézoélectrique d11=6.3 d14=5.4
Inclusions N0

 

BAW A VU le cristal du silicate LGS de gallium de lanthane de dispositifs 0

 

 

 

Coordonnées
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Personne à contacter: Zheng

Téléphone: +86 18255496761

Télécopieur: 86-551-63840588

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)