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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| NOM: | Cristal de SGGG | Densité: | 7.09g/cm3 |
|---|---|---|---|
| Dureté de Mohs: | 7,5 | Point de fusion: | 1730℃ |
| Paramètre de Lattic: | a=12.497Å | Indice de réfraction: | 1,954 à 1064nm |
| Taille: | Diamètre 40 millimètres | Polonais: | ssp ou dsp |
| Mettre en évidence: | Bas cristal optique de la perte SGGG,Haut cristal de la conduction thermique SGGG,Crystal Wafer simple SGGG |
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SGGG et GGG sont employés comme substrats pour l'épitaxie liquide. Des cristaux substitués du grenat de gallium de gadolinium (SGGG) avec du calcium, le magnésium, et le zirconium en tant que substitution des ions ont été employés comme substrats pour les films épitaxiaux bismuth-substitués de grenat de fer.
| Nom | GGG substitué |
| Crystal Structure | Cubique |
| Paramètre de trellis | a=12.497Å |
| Méthode de croissance | Czochralski |
| Densité | 7.09g/cm3 |
| Dureté de Mohs | 7,5 |
| Point de fusion | 1730℃ |
| Indice de réfraction | 1,954 à 1064nm |
| Taille | MAX Dia 4 pouces |
| Épaisseur | 0.5mm/1mm |
| Polonais | Côté simple ou double |
| Orientation | <111>±0.2° |
| Exactitude d'orientation de bord | 2° (spécial dans 1°) |
| Coupe | La taille et l'orientation spéciales sont disponibles sur demande |
| Ra | ≤1nm |
| Paquet |
100 sac propre, sac 1000 propre
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Personne à contacter: Zheng
Téléphone: +86 18255496761
Télécopieur: 86-551-63840588
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