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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Nom de produit: | Substrats LaAlO3 | Orientation en cristal: | <100> <110> <111> |
|---|---|---|---|
| Épaisseur: | 0.5mm /1.0mm | Polonais: | ssp ou dsp |
| Point de fusion (℃): | 2080℃ | Densité: | 6,52 (g/cm 3) |
| Précision de redirection: | ±0.2° | Redirection le bord: | 2° (spécial dans 1°) |
| Surligner: | LaAlO3 Crystal Wafer,Substrats d'aluminate de lanthane,Gaufrette d'aluminate de lanthane |
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LaAIO3 est un substrat supraconducteur à hautes températures de monocristal. Il bien-est assorti avec les matériaux supraconducteurs à hautes températures de la couche mince de YBaCuO dans un trellis avec la constante diélectrique inférieure, basse micro-onde de perte. Les propriétés diélectriques de LaAlO3en cristalsontbienappropriéesaux appareils électroniques supraconducteurs à hautes températures à micro-ondes.
| Crystal Structure | Cubique |
| Méthode de croissance |
Méthode de Czochralski |
| Densité |
6,52 (g/cm3) |
| Point de fonte | 2080℃ |
| Dureté | 6,5 Mohs |
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Dilatation thermique |
9,2 × 10^-6 |
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Constantes diélectriques |
24 |
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Perte sécante (10ghz) |
| 3 × 10 -4 @ 300k, | 0,6 × 10 -4 @ 77k |
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Couleur et aspect |
Transparent pour brunir basé sur la condition de recuit |
| Taille | Φ maximum 76.2mm (3" pouces) |
| Épaisseur | 0.5mm /1.0 millimètre |
| Polonais | Simple ou double |
| Crystal Orientation |
<100> <110> <111> |
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Précision de redirection |
±0.5° |
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Redirection le bord |
2° (spécial dans 1°) |
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Angle de cristallin |
La taille et l'orientation spéciales sont disponibles sur demande |
| Ra |
≤5Å (5µm×5µm) |
| Paquet |
Class100 sac propre, sac propre de la classe 1000 |
Personne à contacter: Zheng
Téléphone: +86 18255496761
Télécopieur: 86-551-63840588
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