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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Nom de produit: | DERNIER substrat | Taille: | 10*10*1mm |
|---|---|---|---|
| Polonais: | ssp ou dsp | méthode de croissance: | Czochralski |
| Densité: | 6,74 g/cm3 | Hardness: | 6,5 Mohs |
| Point de fusion: | ℃ 1840 | Paramètres de trellis: | a= 3.868A |
| Constante diélectrique: | ε = 22 | ||
| Surligner: | 10*10*1mm Crystal Substrate simple,Substrat optique de la couche mince,DERNIER substrat de 10*10*1mm |
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De DERNIERS cristaux sont développés par la méthode de Czochralski et typiquement employés comme substrat pour la croissance épitaxiale des couches minces dans des dispositifs ferroélectriques et à hautes températures de supraconducteur. On s'attend à ce que remplace le substrat de l'aluminate de lanthane (LaAlO3) et du titanate de strontium (SrTiO3), qui est employé pour les couches minces d'oxyde épitaxial pour les dispositifs Ferro-électroniques et supraconducteurs magnétiques.
| Crystal Structure | Cubique | Polonais | Côté simple/double côté |
| Densité | 6,74 g/cm3 | Orientation | <100><110><111> |
| Dureté | 6,5 Mohs | Dimension | 10*10*0.5 millimètre, 20*20*0.5 millimètre |
| Paramètres de trellis | a= 3.868A | 10*10*1 millimètre, 20*20*1mm | |
| Point de fusion | ℃ 1840 | Ra : | ≤5Å (5µm×5µm) |
| Redirection le bord | 2° (spécial dans 1°) | Adapté aux besoins du client | La taille et l'orientation spéciales sont disponibles pour la demande |
Personne à contacter: Chen Dongdong
Téléphone: +86 18326013523
Télécopieur: 86-551-63840588
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