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Nom: | Silicate (LGS) de gallium de lanthane | Formule chimique: | La3Ga5SiO14 |
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méthode de croissance: | Czochralski | Dureté: | 6,6 Moh |
Densité: | 5,754 g/cm3 | Point de fonte: | 1470℃ |
coefficient de Thermique-expansion: | α 33=3.61 du α 11=5.10 | Vitesse sonique, SCIE: | 2400 (m/sec) |
Constante de fréquence, BAW: | 1380 (kHz/mm) | Coefficient de fréquence de la température: | 1.6х10-5 |
Surligner: | Électro langasite optique,Silicate de gallium de lanthane de LGS,cristal de silicate de gallium de lanthane |
Le cristal de silicate de gallium de lanthane a d'excellentes propriétés physiques et chimiques et a les propriétés optiques et électro-optiques. C'est un nouveau type de matériel optique-électro-optique de Q-commutateur. Le silicate de gallium de lanthane (LGS) a de bonnes propriétés électro-optiques, la tension à demi onde peut être ajusté avec l'allongement, son seuil de dommages optique est haut, la rotation optique est petite, modérée dureté et la bonne stabilité mécanique de propriété et chimique sont excellent cristal électrooptique.
Crystal Structure | système régional, a= 8,1783 du groupe 33 C = 5,1014 |
Méthode de croissance | Czochralski |
Dureté | 6,6 Moh |
Densité | 5,754 g/cm3 |
Point de fonte | o 1470 C (point de transition de phase : NON-DÉTERMINÉ) |
Dilatation thermique (x10-6/OC) | α 11 : 5,10 α 33 : 3,61 |
Vitesse sonique, SCIE | 2400 (m/sec) |
Constante de fréquence, BAW | 1380 (kHz/mm) |
Accouplement piézoélectrique | K2 (%) BAW : 2,21 SCIE : 0,3 |
Inclusions | N0 |
Q-commutateur électrooptique
Dispositif de SCIE
Dispositif de BAW
Capteur
Haut laser de tout-solide-état de taux de répétition de puissance élevée
Changement de température de ciel et terre le laser
Personne à contacter: Chen Dongdong
Téléphone: +86 18326013523
Télécopieur: 86-551-63840588
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