Détails sur le produit:
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Formule chimique: | Ce : Gd3Al2Ga3O12 | méthode de croissance: | Czochralski |
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Densité: | 6.63g/cm3 | Point de fusion: | 1850℃ |
Rendement léger: | >50000 (photons/mev) | Crête d'émission: | 520 nanomètre |
Résolution d'énergie: | <6> | Hygroscopique: | NON |
Surligner: | monocristal de 520nm GAGG,Ce : Gd3Al2Ga3O12,Monocristal de la scintillation GAGG |
Ce : Le cristal de GAGG a les caractéristiques de la haute densité, de la transmittance élevée, du grand nombre atomique efficace, du rendement léger élevé, du temps de délabrement rapide, de la bonne résolution d'énergie, et des propriétés physiques et chimiques stables. Comparé aux matériaux en cristal de scintillation traditionnelle, la représentation complète est plus excellente, et le prix et les avantages environnementaux sont extrêmement élevés. Elle a un large éventail d'applications dans les domaines du matériel médical de CT et de PET/CT, de l'inspection de sécurité, du physique des hautes énergies, de la physique nucléaire, etc.
Propriété | Valeur |
---|---|
Formule chimique | Ce : Al2 GA3 O12 de Gd3 |
Nombre atomique (efficace) | 54,4 |
Méthode de croissance | Czochralski |
Densité | 6.63g/cm3 |
Dureté de Mohs | 8 |
Point de fusion | 1850℃ |
Coefficients de dilatation thermique. | Tba X ⁶ de 10 ‾ |
Personne à contacter: Zheng
Téléphone: +86 18255496761
Télécopieur: 86-551-63840588
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