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Aperçu ProduitsCristal de LGS

2" un côtés ont poli LGS Crystal Langasite simple

Certificat
La Chine ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certifications
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2" un côtés ont poli LGS Crystal Langasite simple

2" un côtés ont poli LGS Crystal Langasite simple
2" un côtés ont poli LGS Crystal Langasite simple 2" un côtés ont poli LGS Crystal Langasite simple

Image Grand :  2" un côtés ont poli LGS Crystal Langasite simple

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Crystro
Certification: SGS
Numéro de modèle: 1LGS50.8*0.5-E
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Boîte propre transparente
Délai de livraison: 3-4 semaines
Conditions de paiement: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 100 PCs par semaine
Description de produit détaillée
Nom de produit: Silicate de gallium de lanthane (LGS) Formule chimique: La3Ga5SiO14
Dimension: Diamètre 2" X 0.5mm Orientation: (0 138,5, 26,3)
Polonais: Un côté a poli Méthode de croissance: Czochralski
Dureté: 6,6 Moh Densité: 5,754 g/cm3
Point de fonte: 1470℃
Surligner:

Monocristal de Langasite

,

Un cristal poli latéral de LGS

,

Un cristal poli latéral de Langasite


LGS choisissent Crystal Wafer Dia 2" X 0.5mm un côté poli

Introduction :

Les matériaux de série de lanthane de gallium tels que La3Ga5SiO14 (LGS) ont les caractéristiques de la basse vitesse d'onde acoustique extérieure et du grand coefficient de accouplement électromécanique, qui favorisent la miniaturisation des dispositifs préparés. En outre, ce type de cristal a un point de fusion élevée et est relativement stable à températures élevées, et peut être employé pour préparer les capteurs et les filtres à hautes températures.

 

 

Application principale :

  • Q-commutateur électrooptique
  • Dispositif de /BAW de dispositif de SCIE
  • Capteur
  • Laser de changement de température de ciel et terre

 

 

Propriétés matérielles :

 

Crystal Structure système de rigonal, a= 8,1783 du groupe 33 C = 5,1014
Méthode de croissance Czochralski
Dureté 6,6 Moh
Densité 5,754 g/cm3
Point de fonte o 1470 C (point de transition de phase : NON-DÉTERMINÉ)
Dilatation thermique (x10-6/OC) α 11 : 5,10 α 33 : 3,61
Vitesse sonique, SCIE 2400 (m/sec)
Constante de fréquence, BAW 1380 (kHz/mm)
Accouplement piézoélectrique K2 (%) BAW : 2,21 SCIE : 0,3
Constante diélectrique ε11/ε0=18.27   ε33/ε0=56.26
Constante de tension piézoélectrique d11=6.3 d14=5.4
Inclusions N0

 

 

2" un côtés ont poli LGS Crystal Langasite simple 0

 

 

Coordonnées
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Personne à contacter: Chen Dongdong

Téléphone: +86 18326013523

Télécopieur: 86-551-63840588

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