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Aperçu ProduitsCrystal Substrate simple

Substrat Sapphire Wafer Al 2O3 Crystal Substrate simple de la couche mince

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La Chine ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certifications
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Substrat Sapphire Wafer Al 2O3 Crystal Substrate simple de la couche mince

Substrat Sapphire Wafer Al 2O3 Crystal Substrate simple de la couche mince
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Image Grand :  Substrat Sapphire Wafer Al 2O3 Crystal Substrate simple de la couche mince

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: Crystro
Certification: SGS
Numéro de modèle: CRALO-1
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 morceau
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Boîte propre transparente
Délai de livraison: 3-4 semaines
Conditions de paiement: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 100 PCs par semaine
Description de produit détaillée
Nom de produit: Oxyde d'aluminium Formule chimique: Al2O3
Densité: 3,97 g/cm3 Hardness: 9 Mohs
Paramètres de trellis: des = 4,758 Å c =12.99 Å Coefficient de dilatation thermique (/℃): 7,5 × 10^-6
Constantes diélectriques: 9,4 @300K à un axe -11.58@ 300K chez Caxis Structure en cristal: M6
Surligner:

Al2O3 Sapphire Wafer

,

Sapphire Substrate Wafer

,

Al2O3 Crystal Substrate simple

 

Oxyde d'aluminium Al2O3 Crystal Substrate Sapphire Wafer simple de substrat de la couche mince

 

Introduction :

 

Al2O3 (oxyde d'aluminium) est un excellent substrat supraconducteur de la couche mince. Ce matériel a beaucoup d'avantages : bonne thermos-stabilité,

conduction thermique élevée, et dureté élevée. Il pourrait également être employé dans beaucoup d'autres domaines comme industriel, la défense et sécurité et recherche scientifique.

 

Applications :

  • matériaux de substrat pour le film à hautes températures de supraconductivité : Y-séries, La-séries
  • un substrat pour élever le film de supraconductivité de MgB2

 

Paramètres techniques

 

Crystal Structure  M6 Point de fusion  2040℃
Densité  3,98 g/cm3 Polonais Côté simple/double côté poli
Dureté  9,0 (Mohs) Redirection le bord  2° (spécial dans 1°)
Paramètres de trellis des = 4,758 Å c =12.99 Å Ra  ≤5Å (5µm×5µm)
Orientation

Un-avion <11-20>

M-avion <10-10>

R-avion<1-102>

C-avion <0001>

Taille

 5*5*0.5mm

 10*10*0.5mm

 

Substrat Sapphire Wafer Al 2O3 Crystal Substrate simple de la couche mince 0

Coordonnées
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Personne à contacter: Chen Dongdong

Téléphone: +86 18326013523

Télécopieur: 86-551-63840588

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